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SQ4840EY
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
1.7
I D = 14 A
V GS = 10 V
100
10
T J = 150 °C
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 4.5 V
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.0 8
0
0.06
- 0.4
0.04
I D = 5 mA
0.02
0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
- 0.8
- 1.2
I D = 250 μA
0
1
2 3 4 5 6 7
8
9
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
54
52
50
48
46
44
I D = 1 mA
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2109 Rev. D, 31-Oct-11
4
Document Number: 68669
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